SK Hynix sẽ tiếp tục sử dụng phương pháp liên kết bộ nhớ hiện tại cho các chip HBM4E, thay vì chuyển sang công nghệ hybrid bonding như dự kiến ban đầu, và dời việc áp dụng công nghệ này sang thế hệ HBM5. Quyết định này đáng chú ý vì nó cho thấy một giới hạn vật lý rõ ràng đối với khả năng xếp chồng bộ nhớ cho các chip AI thế hệ tiếp theo của Nvidia, qua đó ảnh hưởng đến tốc độ phát triển của phần cứng AI.
Chuyện gì đã xảy ra
Theo Tom's Hardware, SK Hynix cho biết công nghệ hybrid bonding sẽ chưa kịp hoàn thiện để áp dụng cho bộ nhớ HBM4E. Thay vào đó, công ty sẽ kéo dài việc sử dụng quy trình MR-MUF hiện có xuyên suốt nền tảng chip AI Rubin của Nvidia. Nguyên nhân đến từ một giới hạn vật lý: tổng độ dày của các khối bộ nhớ HBM bị giới hạn ở mức 775 micron, con số trùng khớp với độ dày tiêu chuẩn của một tấm wafer logic 300mm, theo báo cáo. SK Hynix dự định sẽ đưa hybrid bonding vào sử dụng cùng thế hệ bộ nhớ HBM5 kế tiếp, thay vì HBM4E. Báo cáo không đề cập mốc thời gian cụ thể cho việc sản xuất HBM5 hay thời điểm hybrid bonding chính thức ra mắt.
Bối cảnh sự việc
Các chip HBM xếp chồng nhiều lớp die bộ nhớ để tăng băng thông cho các bộ tăng tốc AI. Hiện tại, SK Hynix liên kết các lớp này bằng quy trình MR-MUF, một phương pháp đã được kiểm chứng qua các thế hệ HBM trước đó. Nhiều người từng kỳ vọng hybrid bonding sẽ xuất hiện ngay từ thế hệ HBM4E, dòng bộ nhớ phục vụ cho nền tảng Rubin sắp ra mắt của Nvidia. Tuy nhiên, giới hạn độ dày 775 micron, tương đương một tấm wafer logic 300mm tiêu chuẩn, đã buộc công ty phải thay đổi kế hoạch, theo Tom's Hardware. SK Hynix giờ đây sẽ duy trì MR-MUF xuyên suốt giai đoạn HBM4E và Rubin, để dành hybrid bonding cho HBM5.
Vì sao điều này quan trọng với bạn
Đối với các bên mua chip AI, điều này đồng nghĩa thế hệ Rubin của Nvidia sẽ ra mắt cùng phương pháp liên kết đã được kiểm chứng, giúp giảm rủi ro nguồn cung nhưng cũng giới hạn mức tăng mật độ bộ nhớ. Đối với các nhà sản xuất bộ nhớ, sự việc cho thấy giới hạn đóng gói vật lý, chứ không chỉ tiến trình sản xuất, giờ đây cũng định hình lộ trình phát triển. Với những ai theo dõi phần cứng AI cho thiết bị đeo và kính AR, mật độ bộ nhớ vẫn sẽ là nút thắt cổ chai cho đến khi hybrid bonding của HBM5 xuất hiện. Các nhà đầu tư theo dõi các nhà cung cấp bộ nhớ nên lưu ý rằng việc trì hoãn này chỉ ảnh hưởng đến thời điểm, chứ không thay đổi hướng đi, của quá trình mở rộng bộ nhớ AI. Điều này chưa tác động đến nguồn cung chip AI trong ngắn hạn, nhưng đặt ra kỳ vọng rõ ràng hơn về thời điểm bộ nhớ mật độ cao hơn sẽ xuất hiện.
Câu hỏi lớn hơn
Nếu độ dày vật lý, chứ không phải tỷ lệ sản xuất đạt chuẩn, giờ đây là yếu tố giới hạn mật độ bộ nhớ AI, thì việc xếp chồng đơn thuần còn có thể theo kịp nhu cầu tính toán AI ngày càng tăng trong bao lâu trước khi cần một thiết kế đóng gói hoàn toàn mới? Câu hỏi này không chỉ dừng lại ở một công ty. Mọi nhà sản xuất chip AI phụ thuộc vào HBM đều đối mặt với cùng giới hạn vật lý này, từ GPU trung tâm dữ liệu cho đến các thiết bị biên tương lai có thể vận hành kính AR và thiết bị đeo.
Những điều cần theo dõi
Hãy theo dõi lộ trình giao hàng HBM4E của SK Hynix song song với thời điểm ra mắt nền tảng Rubin của Nvidia, cùng bất kỳ cập nhật nào về tiến độ phát triển hybrid bonding cho HBM5. Báo cáo không tiết lộ mốc thời gian chính thức nào. Các tuyên bố tiếp theo từ SK Hynix, Samsung và Micron về công nghệ đóng gói sẽ cho thấy liệu giới hạn 775 micron này có trở thành rào cản chung của toàn ngành hay không.
